型号:

SQ2361EES-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SQ2361EES-T1-GE3 PDF
特色产品 SQ Series Power MOSFETs
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 150 毫欧 @ 2.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 545pF @ 30V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3(TO-236)
包装 标准包装
其它名称 SQ2361EES-T1-GE3DKR
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